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罗海辉 教授级高级工程师 中国中车资深技术专家 株洲中车时代半导体有限公司副总经理 报告题目：IGBT可靠性设计及研究进展 |
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报告摘要：本报告主要介绍功率IGBT芯片及模块的可靠性机理、设计方法及失效规律，讨论IGBT芯片栅氧层质量、SOA工作区设计余量、以及模块封装互连电路寄生参数对功率模块可靠性的影响，最后综述了针对不同应用领域的功率模块可靠性试验方法及标准。 |
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报告人简介：罗海辉，中国中车资深技术专家，湖湘青年英才，教授级高级工程师，现任株洲中车时代半导体有限公司副总经理兼IGBT器件制造中心主任,带领“IGBT技术研发与产业化科技创新团队”入选“国家重点领域创新团队”。主持的项目曾获省部级科技奖4项，通过省部级科技成果鉴定4项，申请发明专利78项,其中21项发明专利已授权，在国际会议、国内外核心期刊发表论文35篇，其中SCI、EI收录10余篇。曾荣获“中国专利优秀奖”、“铁道学会科学技术奖特等奖”、“电子学会科学技术奖一等奖”、“电子学会科学技术奖二等奖”等。 |
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论文初稿提交截止时间
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2019年6月30日 2019年7月15日
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论文录用通知时间
( 2019年8月15日 )
专题讲座、工业报告征集截止时间
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2019年6月30日 2019年7月10日
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终稿提交时间
( 2019年9月15日 )
大会时间
( 2019年11月1日-4日 )
注册优惠截止期
( 2019年9月30日 )
