讲座主题：SiC功率器件的性能表征、封装测试与系统集成

讲座人：曾正 副教授，重庆大学电气工程学院

讲座摘要：

SiC功率器件具有优异的高压、高频和高温性能，是下一代电能变换技术的基础。SiC器件在拓展功率器件运行域的同时，在性能表征、封装测试和系统集成等方面，也面临前所未有的挑战。从器件、模块和系统三个层面，本讲座将深入剖析SiC器件应用现场和研究领域中的若干技术问题和科学问题。

在器件层面，针对SiC MOSFET和SiC SBD器件，将详细阐释SiC器件的基本结构、性能特点，以及电热性能表征方法等。

在封装层面，围绕封装工艺、失效机理、封装设计、多芯片并联等关键问题，详细阐释SiC功率模块的多物理场协同设计和封装工艺。

在测试层面，围绕SiC器件高速开关行为给精确稳定测量带来的挑战，详细阐释测量误差的量化模型，以及测量仪器对SiC器件暂态稳定的干扰。

在系统层面，以空冷SiC逆变器为例，围绕功率模块定义、无源元件配合和热设计，详细阐释高功率密度SiC变换器的设计方法和实现方法。

围绕SiC功率器件的新兴趋势和应用难题，针对工业现场和学术研究所面临的关键问题，本技术讲座将从器件-封装-系统的层面，全链条梳理SiC器件性能表征、封装测试和系统集成方法，为工业应用和学术研究提供有益的参考。

讲座人介绍：

曾正，2009年在武汉大学获得电气工程学士学位，2014年在浙江大学获得电气工程博士学位，2014年加入重庆大学电气工程学院，加入千人计划冉立教授研究团队，2017年聘任为副教授，2018年聘任为博士生导师，2018年–2019年在新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作，合作导师：张欣教授。

近5年来，一直从事新型电力电子器件封装集成与应用研究，目前主持国家重点研发计划子课题2项、国家自然科学基金1项、重庆市自然科学基金1项，已主持完成横向和其他各类项目5项。至今已发表学术论文100余篇，其中IEEE/IET会刊20余篇，入选ESI高被引论文1篇，入选“中国精品科技期刊顶尖论文(F5000)”1篇，被引1300余次，H影响因子18，H10影响因子40，申请发明专利14项（已授权6项，已转让1项）。博士论文获评浙江大学2014年优秀博士学位论文（全校共8篇），曾获GE基金会科技创新奖、中国电源学会电力电子应用设计大赛全国一等奖等奖励多项。